化學(xué)鍍鎳、銅、磷三元合金工藝的研究,為提高化學(xué)鍍鎳.磷合金鍍層的性能及獲得多種性能的合金鍍層以拓寬其應(yīng)用范圍在化學(xué)鍍鎳、磷合金液中加入硫酸銅制得鎳、銅、磷三元合金,研究了鍍液中硫酸鎳、次磷酸鈉、檸檬酸鈉、硫酸銅、穩(wěn)定劑、光亮劑的含量以及pH值和溫度等因素對(duì)合金鍍層的外觀、沉積速度及銅含量的影響,通過5%氯化鈉溶液和10%硫酸溶液浸泡試驗(yàn)比較了所得鎳、銅、磷合金鍍層與鎳、磷合金鍍層以及前人制得的鎳、磷合金鍍層的耐蝕性,同時(shí)比較了上述鍍層的其它性能結(jié)果表明,所得鎳、銅、磷合金鍍層的耐蝕性、外觀、結(jié)合力、孔隙率、沉積速度、硬度和耐磨性等性能優(yōu)于鎳、磷合金及前人制得的鎳、銅、磷臺(tái)金鍍層。
化學(xué)鍍鎳的優(yōu)點(diǎn)是不需要電流電源設(shè)備,厚度均們致密,針子L少,均鍍性好,仿真能力強(qiáng),能在復(fù)雜零件表面沉積,深鍍能力強(qiáng),抗蝕性能好,鍍鎳鍍的速度快,鍍層厚度可達(dá)10- 50, um.鍍層在燒氫后無起皮、鎳泡等缺 陷。 告訴您鎳的缺點(diǎn)是①鍍層為非晶態(tài)的層狀結(jié)構(gòu),雖然進(jìn)行熱處理后, 鍍層結(jié)晶化,其層狀結(jié)構(gòu)逐漸學(xué)消失,但是對(duì)陶瓷一金屬封接件的抗拉強(qiáng)度有所降低:回鍍液的成本高, 壽命短,耗能大:⑧鍍液對(duì)雜質(zhì)敏感, 需經(jīng)常處理,因而使工藝的可操作性變的相對(duì)復(fù)雜。
電鍍金的原理:當(dāng)電源加在鉑金鈦網(wǎng)(陽極)和硅片(陰極)之間時(shí),溶液會(huì)產(chǎn)生電流,并形成電場。優(yōu)質(zhì)鍍金陽極發(fā)生氧化反應(yīng)釋放出電子,同時(shí)陰極得到電子發(fā)生還原反應(yīng)。鍍銀陰極附近的絡(luò)合態(tài)金離子與電子結(jié)合,以金原子的形式沉積在硅片表面。鍍液中的絡(luò)合態(tài)金離子在外加電場的作用,向陰極定向移動(dòng)并補(bǔ)充陰極附近的濃度消耗。山西專注鍍銀電鍍的主要目的是在硅片上沉積一層致密、均勻、無孔洞、無縫隙、無其它缺陷的金。鍍銀價(jià)格電鍍金的性能特點(diǎn):1、高導(dǎo)電性;2、那腐蝕、耐磨性;3、抗變色性;4、良好的焊接性能;5、優(yōu)良的延展性;6、優(yōu)良反射性能紅外線;7、低接觸電阻。
鍍鎳,鍍鋅,鍍鉻的作用和區(qū)別如下:外觀顏色方面:鍍鋅外觀銀白色;鍍鎳外觀銀白偏黃;鍍鉻分裝飾鉻和硬鉻外觀亮白偏藍(lán)。價(jià)格方面:鍍鉻最貴,鍍鎳其次,鍍鋅最便宜。用途方面:鍍鋅應(yīng)用在螺絲釘、斷路器、工業(yè)用品等;鍍鎳應(yīng)用在節(jié)能燈燈頭、硬幣等;鍍鉻應(yīng)用在家電、電子等產(chǎn)品上的的光亮裝飾件,水龍頭等。
鍍金,是一種裝飾技能,也是常用詞匯之一。開端是指在器物的表面鍍上一層薄薄的金子。鍍金層外觀為金黃色,具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性,只溶于王水,不溶于其它酸。金的原子價(jià)為一價(jià)和三價(jià)。一價(jià)金的標(biāo)準(zhǔn)電位o°Au+/Au為+1.68V,三價(jià)金的標(biāo)準(zhǔn)電位o°Au3+/Au為+1.50V。對(duì)鋼、銅、銀及其合金基體而言,金鍍層為陰極性鍍層,鍍層的孔隙影響其防護(hù)功用。具有較低的接觸電阻、導(dǎo)電功用出色、易于焊接,耐腐蝕性強(qiáng)、并具有一定的耐磨性(指硬金),因而在精密儀器儀表、印制電路板、集成電路、管殼、電接點(diǎn)等方面有著廣泛的運(yùn)用。鍍金標(biāo)準(zhǔn):鍍金質(zhì)量的好壞是視鍍金層的厚度多少、光澤亮暗為準(zhǔn)。
鍍銀最早始于1800年,第一個(gè)專業(yè)鍍銀的zhuanli是1838年由英國伯明翰的Elkington兄弟提出的,所用的鍍液為堿性氰化物鍍液,與他們發(fā)明的堿性氰化物鍍黃金體系很類似。一個(gè)多世紀(jì)以來,鍍銀液的基本配方和當(dāng)年的配方差別不大,僅僅是提高了銀配位離子濃度以達(dá)到快速鍍銀的目的而已。氰系鍍液過去的主要缺點(diǎn)是使用的電流密度小,現(xiàn)在這個(gè)問題也解決了,高效鍍銀使電流密度可高達(dá)10A/dm,光亮鍍銀可達(dá)1.5~3A/dm,其鍍面光滑而無需再打光,也可鍍厚。近年來快速發(fā)展起來的電子元器件的高速選擇性鍍銀,如引線框架的選擇性鍍銀,采用噴射鍍的方法。所用的電流密度高達(dá)300~3000A/dm,鍍液中氰化銀鉀[KAg(CN)2]的濃度 也高達(dá)40~75g/L,陽極采用白金或鍍鉑的鈦陽極,這樣在1s內(nèi)即可鍍上約4~5μm的銀層,它已能滿足硅芯片和銀焊墊之間用鋁線來鍵合(Bonding)。
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